差别

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--- icore4tx_14 [2020/07/28 15:29]
fmj
+++ icore4tx_14 [2022/04/02 11:58] (当前版本)
sean
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 |技术支持电话|**0379-69926675-801**|||
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-|技术论坛|http://www.eeschool.org|||
 ^  版本  ^  日期  ^  作者  ^  修改内容  ^
 |  V1.0  |  2020-07-28  |  gingko  |  初次建立  |
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-=====STM32CubeMX教程十三——QSPI通信实验 =====
+=====STM32CubeMX教程十四——SDRAM实验 =====
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 .在主界面选择File-->New Project   或者直接点击ACCEE TO MCU SELECTOR。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_1.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_1.png?direct |}}
 .出现芯片型号选择，搜索自己芯片的型号，双击型号，或者点击Start Project进入配置在搜索栏的下面，提供的各  种查找方式，可以选择芯片内核，型号，等等，可以帮助你查找芯片。本实验选取的芯片型号为：STM32H750IBKx。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_2.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_2.png?direct |}}
 .配置RCC，使用外部时钟源。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_3.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_3.png?direct |}}
 .时基源选择SysTick。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_4.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_4.png?direct |}}
 .将PA10,PB7,PB8设置为GPIO_Output。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_5.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_5.png?direct |}}
 .引脚模式配置。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_6.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_6.png?direct |}}
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_7.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_7.png?direct |}}
-.设置串口。。
+.设置串口。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_8.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_8.png?direct |}}
-.在NVIC Settings一栏使能接收中断。
+.配置FMC
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_9.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_9.png?direct |}}
-.配置QUADSPI。
+.在 NVIC Settings 一栏使能接收中断。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_10.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_10.png?direct |}}
 .时钟源设置，选择外部高速时钟源，配置为最大主频。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_11.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_11.png?direct |}}
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_12.png?direct |}}
+.工程文件的设置, 这里就是工程的各种配置 我们只用到有限几个，其他的默认即可。IDE我们使用的是MDK V5.27。
-.工程文件的设置, 这里就是工程的各种配置 我们只用到有限几个，其他的默认即可  IDE我们使用的是 MDK V5.27。
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_12.png?direct |}}
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_13.png?direct |}}
 .点击Code Generator，进行进一步配置。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_14.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_13.png?direct |}}
   * **Copy all used libraries into the project folder**
   * **将HAL库的所有.C和.H都复制到所建工程中**
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     * 缺点：复制到其他电脑上或者软件包位置改变，就需要修改相对应的路径
   * 自行选择方式即可
-.然后点击GENERATE CODE  创建工程。
+.然后点击GENERATE CODE创建工程。
-{{ :icore4tx:icore4tx_cube_13_15.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_cube_14_14.png?direct |}}
 创建成功，打开工程。
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-===== 实验十三：QSPI通信实验——读写测试SPI FLASH =====
+===== 实验十四：SDRAM实验——读写测试SDRAM =====
 ==== 一、 实验目的与意义 ====
-  - 了解STM32 QSPI结构。
+  - 了解STM32 SDRAM结构。
-  - 了解STM32 QSPI特征。
+  - 了解STM32 SDRAM特征。
-  - 掌握QSPI的使用方法。
+  - 掌握SDRAM的使用方法。
-  - 掌握STM32 HAL库中QSPI属性的配置方法。
+  - 掌握STM32 HAL库中SDRAM属性的配置方法。
-  - 掌握KEILMDK 集成开发环境使用方法。
+  - 掌握KEILMDK集成开发环境使用方法。
 ==== 二、 实验设备及平台 ====
   - iCore4TX 双核心板[[https://item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.1-c-s.w4004-22598974120.3.29da532fLkazHH&id=614919247574|点击购买]]。
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   - 装有WIN XP（及更高版本）系统的计算机。
 ==== 三、 实验原理 ====
-=== 1.QSPI简介 ===
+=== 1.SDRAM简介 ===
+  * 同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称 SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常 DRAM 是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而 SDRAM 有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线(Pipeline)操作。这使得 SDRAM 与没有同步接口的异 DRAM(asynchronousDRAM)相比，可以有一个更复杂的操作模式。管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。在一个写入的管线中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入存储队列的时间。在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。
-  * QSPI是Queued SPI的简写，是Motorola公司推出的SPI接口的扩展，比SPI应用更加广泛。在SPI协议的基础上，Motorola公司对其功能进行了增强，增加了队列传输机制，推出了队列串行外围接口协议（即QSPI协议）。QSPI是一种专用的通信接口，连接单、双或四（条数据线）SPI Flash存储介质。
+  * SDRAM 是多 Bank 结构，例如在一个具有两个 Bank 的 SDRAM 的模组中，其中一个Bank 在进行预充电期间，另一个 Bank 却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电 Bank 的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。为了实现这个功能，SDRAM 需要增加对多个 Bank 的管理，实现控制其中的 Bank 进行预充电。在一个具有 2 个以上 Bank 的 SDRAM 中，一般会多一根叫做 BAn的引脚，用来实现在多个 Bank 之间的选择。
-  * 该接口可以在以下三种模式下工作：
+  * SDRAM 具有多种工作模式，内部操作是一个复杂的状态机。SDRAM 器件的引脚分为以下几类。
-  * **① 间接模式**：使用QSPI寄存器执行全部操作。
+  * （1）控制信号：包括片选、时钟、时钟使能、行列地址选择、读写有效及数据有效。
-  * **② 状态轮询模式**：周期性读取外部Flash状态寄存器，而且标志位置1时会产生中断（如擦除或烧写完成，会产生中断）。
+  * （2）地址信号：时分复用引脚，根据行列地址选择引脚，控制输入的地址为行地址或列地址。
-  * **③ 内存映射模式**：外部Flash映射到微控制器地址空间，从而系统将其视作内部存储器。
+  * （3）数据信号：双向引脚，受数据有效控制。
-  * 采用双闪存模式时，将同时访问两个Quad-SPI Flash，吞吐量和容量均可提高二倍。
+  * SDRAM的所有操作都同步于时钟。根据时钟上升沿控制管脚和地址输入的状态，可以产生多种输入命令:模式寄存器设置命令、激活命令、预充命令、读命令、写命令、带预充的读命令、带预充的写命令、自动刷新命令、自我刷新命令、突发停命令、空操作命令。根据输入命令，SDRAM状态在内部状态间转移。内部状态包括模式寄存器设置状态、激活状态、预充状态、写状态、读状态、预充读状态、预充写状态、自动刷新状态及自我刷新状态。
-=== 2.QSPI命令序列 ===
+  * SDRAM 支持的操作命令有初始化配置、预充电、行激活、读操作、写操作、自动刷新、自刷新等。所有的操作命令通过控制线 CS#、RAS#、CAS#、WE#和地址线、体选地址BA输入。
-  * QUADSPI通过命令与Flash通信，每条命令包括指令、地址、交替字节、空指令和数据这五个阶段，任一阶段均可跳过，但至少要包含指令、地址、交替字节或数据阶段之一。nCS在每条指令开始前下降，在每条指令完成后再次上升。如图为QSPI四线模式下的读命令时序。
+=== 2.W9825G6JB命令表 ===
-{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_13_1.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_1.png?direct |}}
-== (1) 指令阶段 ==
+=== 3.FMC简介 ===
+  * STM32H750使用FMC外设来管理扩展的存储器，FMC是Flexible Memory Controller的缩写，译为可变存储控制器。它可以用于驱动包括 SRAM、SDRAM、NOR FLASH以及NAND FLSAH类型的存储器。
-  * 这一阶段，将在QUADSPI_CCR[7:0]寄存器的INSTRUCTION字段中配置的一条8位指令发送到Flash，指定待执行操作的类型。尽管大多数 Flash从IO0/SO信号（单线 SPI 模式）只能以一次1位的方式接收指令，但指令阶段可选择一次发送2位（在双线SPI模式中通过IO0/IO1）或一次发送4位（在四线SPI模式中通过IO0/IO1/IO2/IO3）。这可通过 QUADSPI_CCR[9:8]寄存器中的IMODE[1:0]字段进行配置。
+  * FMC 有 6 个存储区域，每个区域支持 256MB 的寻址空间。
-  * 若IMODE = 00，则跳过指令阶段，命令序列从地址阶段（如果存在）开始。
+  * (1) 存储区域 1 可连接多达 4 个 NOR Flash 或 PSRAM 设备。此存储区域被划分为如下4个NOR/PSRAM子区域，带4个专用片选信号：存储区域 1 NOR/PSRAM 1、存储区域 1 NOR/PSRAM 2、存储区域 1 NOR/PSRAM 3、存储区域 1 NOR/PSRAM 4。
-== (2) 地址阶段 ==
+  * (2) 存储区域 2 用于 SDRAM 器件，具体是 SDRAM 存储区域 1 还是 SDRAM 存储区域 2 取决于 BMAP 位配置。
+  * (3) 存储区域 3 用于连接 NAND Flash 器件。此空间的 MPU 存储器特性必须通过软件重新配置到器件中。
-  * 在地址阶段，将1-4字节发送到Flash，指示操作地址。待发送的地址字节数在QUADSPI_CCR[13:12]寄存器的ADSIZE[1:0]字段中进行配置。在间接模式和自动轮询模式下，待发送的地址字节在QUADSPI_AR寄存器的ADDRESS[31:0]中指定在内存映射模式下，则通过 AHB（来自于 Cortex ® 或 DMA）直接给出地址。地址阶段可一次发送1 位（在单线SPI模式中通过SO）、2位（在双线SPI模式中通过IO0/IO1）或4位（在四线 SPI 模式中通过 IO0/IO1/IO2/IO3）。这可通过QUADSPI_CCR[11:10]寄存器中的ADMODE[1:0]字段进行配置。
+  * (4) 存储区域 5 和 6 用于连接 SDRAM 器件（每个存储区域 1 个器件）。
-  * 若ADMODE = 00，则跳过地址阶段，命令序列直接进入下一阶段（如果存在）。
+  * 对于每个存储区域，所要使用的存储器类型可由用户应用程序通过配置寄存器配置。
-== (3) 交换字节阶段 ==
+  * 本实验使用 FMC 控制 SDRAM。启动时，必须通过用户应用程序对用于连接 FMC SDRAM 控制器与外部 SDRAM 设备的 SDRAM I/O 引脚进行配置。应用程序未使用的 SDRAM 控制器 I/O 引脚可用于其它用途。
+  * FMC 的存储区域如图所示：
-  * 在交替字节阶段，将1-4字节发送到Flash，一般用于控制操作模式。待发送的交替字节数在QUADSPI_CCR[17:16]寄存器的ABSIZE[1:0]字段中进行配置。待发送的字节在QUADSPI_ABR寄存器中指定。
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_2.png?direct |}}
-  * 交替字节阶段可一次发送1位（在单线 SPI 模式中通过 SO）、2位（在双线SPI模式中通过 IO0/IO1）或4位（在四线SPI模式中通IO0/IO1/IO2/IO3）。这可通过QUADSPI_CCR[15:14]寄存器中的ABMODE[1:0]字段进行配置。
+  * FMC 框图如下：
-  * 若ABMODE = 00，则跳过交替字节阶段，命令序列直接进入下一阶段（如果存在）。交替字节阶段存在仅需发送单个半字节而不是一个全字节的情况，比如采用双线模式并且仅使用两个周期发送交替字节时。在这种情况下，固件可采用四线模式(ABMODE = 11)并发送一个字节，方法是ALTERNATE的位7和3置“1”（IO3 保持高电平）且位6和2置“0”（IO2 线保持低电平）。此时，半字节的高 2 位存放在ALTERNATE的位 4:3，低 2位存放在位1和0中。例如，如果半字节2 (0010) 通过IO0/IO1发送，则ALTERNATE 应设置为0x8A (1000_1010)。
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_3.png?direct |}}
-== (4) 空指令周期阶段 ==
+=== 4.SDRAM的地址映射 ===
+  * 两个可用的 SDRAM 存储区域如图：
-  * 在空指令周期阶段，给定的1-31个周期内不发送或接收任何数据，目的是当采用更高的时钟频率时，给Flash留出准备数据阶段的时间。这一阶段中给定的周期数在QUADSPI_CCR[22:18]寄存器的DCYC[4:0]字段中指定。在SDR和DDR模式下，持续时间被指定为一定个数的全时钟周期。若DCYC为零，则跳过空指令周期阶段，命令序列直接进入数据阶段（如果存在）。空指令周期阶段的操作模式由DMODE确定。为确保数据信号从输出模式转变为输入模式有足够的“周转”时间，使用双线和四线模式从Flash接收数据时，至少需要指定一个空指令周期。
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_4.png?direct |}}
-== (5) 数据阶段 ==
+  * 下表显示了 13 位行和 11 位列配置的 SDRAM 映射。
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_5.png?direct |}}
-  * 在数据阶段，可从Flash接收或向其发送任意数量的字节。
+  * (1) 连接 16 位存储器时， FMC 内部使用 ADDR[11:1]内部地址线进行外部寻址。连接32 位存储器时，FMC 内部使用 ADDR[12:2]地址线进行外部寻址。无论外部存储器的宽度是多少，FMC_A[0]都必须连接到外部存储器地址 A[0]。
-  * 在间接模式和自动轮询模式下，待发送/接收的字节数在QUADSPI_DLR寄存器中指定。在间接写入模式下，发送到Flash的数据必须写入QUADSPI_DR寄存器。在间接读取模式下，通过读取QUADSPI_DR寄存器获得从 Flash 接收的数据。在内存映射模式下，读取的数据通过AHB直接发送回Cortex或DMA。数据阶段可一次发送/接收1位（在单线SPI 模式中通过SO）、2位（在双线 SPI 模式中通过IO0/IO1）或4位（在四线SPI模式中通过IO0/IO1/IO2/IO3）。这可通过QUADSPI_CCR[15:14] 寄存器中的ABMODE[1:0]字段进行配置。若DMODE = 00，则跳过数据阶段，命令序列在拉高nCS时立即完成。这一配置仅可用于仅间接写入模式。
+  * (2) 不支持 AutoPrecharge。FMC_A[10]必须连接到外部存储器地址 A[10]，但始终为低电平。
+=== 5.SDRAM 控制寄存器 ===
+  * 控制 SDRAM 的有 FMC_SDCR1/FMC_SDCR2 控制寄存器、FMC_SDTR1/FMC_SDTR2时序寄存器、FMC_SDCMR 命令模式寄存器以及FMC_SDRTR 刷新定时器寄存器。其中控制寄存器及时序寄存器各有 2 个，分别对应于 SDRAM 存储区域 1 和存储区域 2 的配置。
+  * FMC_SDCR 控制寄存器可配置 SDCLK 的同步时钟频率、突发读使能、写保护、CAS延迟、行列地址位数以及数据总线宽度等。
+  * FMC_SDTR 时序寄存器用于配置 SDRAM 访问时的各种时间延迟，如 TRP 行预充电延迟、TMRD 加载模式寄存器激活延迟等。
+  * FMC_SDCMR 命令模式寄存器用于存储要发送到 SDRAM 模式寄存器的配置，以及要向 SDRAM 芯片发送的命令。
+  * FMC_SDRTR 刷新定时器寄存器用于配置 SDRAM 的自动刷新周期。
+=== 6.原理图 ===
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_6.png?direct |}}
 ==== 四、 实验程序 ====
 === 1.主函数 ===
 <code c>
 int main(void)
 {
-    int i;
+  int i,j;
-    int temp;
+  HAL_Init();
-    unsigned char write_buffer[4096];
+  i2c.initialize();
-    unsigned char read_buffer[4096];
+  axp152.initialize();
-    HAL_Init();
+  axp152.set_dcdc1(3500);//[ARM & FPGA]
+  axp152.set_dcdc2(1200);//[FPGA INT]
-    SystemClock_Config();
+  axp152.set_dcdc3(3300);//[DCOUT3]
-    i2c.initialize();
+  axp152.set_dcdc4(3300);//[DCOUT4]
-    axp152.initialize();
+  axp152.set_aldo1(3300);//[BK3]
-    axp152.set_dcdc1(3500);//[ARM & FPGA]
+  axp152.set_aldo2(3300);//[ALDOOUT2]
-    axp152.set_dcdc2(1200);//[FPGA INT]
+  axp152.set_dldo1(3300);//[BK0]
-    axp152.set_dcdc3(3300);//[DCOUT3]
+  axp152.set_dldo2(3300);//[BK1]
-    axp152.set_dcdc4(3300);//[DCOUT4]
+  HAL_Delay(200);
+  SystemClock_Config();
-    axp152.set_aldo1(3300);//[BK3]
+  MX_GPIO_Init();
-    axp152.set_aldo2(3300);//[ALDOOUT2]
+  MX_USART2_UART_Init();
-    axp152.set_dldo1(3300);//[BK0]
+  MX_FMC_Init();
-    axp152.set_dldo2(3300);//[BK1]
+  BSP_SDRAM_Init();
-    HAL_Delay(200);
+  usart2.initialize(115200);
+  usart2.printf("\x0c"); //清屏
-    MX_GPIO_Init();
+  usart2.printf("\033[1;32;40m"); //设置终端字体为绿色
-    MX_USART2_UART_Init();
+  usart2.printf("Hello,I am iCore4TX!\r\n\r\n");
-    MX_QUADSPI_Init();
+  //向 SDRAM 中写入 0x0000~0xFFFF 并读取校验
-    BSP_QSPI_Init();
+  for(j = 0; j < 256; j++){
-    usart2.initialize(115200);
+    for(i = 0;i < 65536;i++){
-    usart2.printf("\x0c");                       //清屏
+      write_sdram((65536 * j + i),i);
-    usart2.printf("\033[1;32;40m");              //设置终端字体为绿色
+    }
-    usart2.printf("Hello,I am iCore4TX!\r\n\r\n");
+  }
-    temp = BSP_QSPI_FLASH_ReadID();
+  for(j = 0; j < 256; j ++){
-    usart2.printf("FLASH ID: 0x%X\r\n",temp);
+    for(i = 0;i < 65536;i++){
-   for(i = 0;i < 4096;i ++){
+      if(i != read_sdram((65536 * j + i))){
-        write_buffer[i] = i % 256;
+         usart2.printf("SDRAM ERROR!\r\n");
-        read_buffer[i] = 0;
+         while(1){ //测试失败 LED 灯闪烁
-    }
+            LED_ON;
-    BSP_QSPI_Write(write_buffer,0,4096);  //写数据
+            HAL_Delay(500);
-    BSP_QSPI_Read(read_buffer,0,4096);     //读数据
+            LED_OFF;
-    for(i = 0;i < 4096;i ++){
+            HAL_Delay(500);
-        if(read_buffer[i] != write_buffer[i]){
+  }
-            usart2.printf("FLASH ERROR!\r\n");
+  usart2.printf("SDRAM TEST OK!\r\n");
-            while(1);
+  HAL_Delay(1000);
-        }
+  LED_ON; //测试成功 LED 灯常亮
-    }
+  while (1)
-    usart2.printf("FLASH TEST OK!\r\n");
+  {
-    while (1)
+  }
-    {
+}
-    }
-}
 </code>
-=== 2.QSPI初始化函数 ===
+=== 2.SDRAM 初始化函数 ===
-初始化好QSPI外设后，还要初始化初始化QSPI存储器，需要先复位存储器，使能写操作，配置状态寄存器才可进行数据读写操作。
 <code c>
-uint8_t BSP_QSPI_Init(void)
+uint8_t BSP_SDRAM_Init(void)
 {
-  QSPIHandle.Instance = QUADSPI;
+  static uint8_t sdramstatus = SDRAM_OK;
-  /* 调用DeInit函数重置驱动程序 */
+  /* SDRAM 驱动配置 */
-  if (HAL_QSPI_DeInit(&QSPIHandle) != HAL_OK)
+  sdramHandle.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
-  {
+  Timing.LoadToActiveDelay = 2;
-    return QSPI_ERROR;
+  Timing.ExitSelfRefreshDelay = 7;
-  }
+  Timing.SelfRefreshTime = 4;
-  /* 系统级初始化 */
+  Timing.RowCycleDelay = 7;
-  BSP_QSPI_MspInit(&QSPIHandle, NULL);
+  Timing.WriteRecoveryTime = 2;
-  /*  QSPI初始化 */
+  Timing.RPDelay = 2;
-  /* 时钟预分频器设置为1，因此QSPI时钟= 240MHz /（1 + 1）= 120MHz */
+  Timing.RCDDelay = 2;
-  QSPIHandle.Init.ClockPrescaler     = 1;
+  sdramHandle.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
-  QSPIHandle.Init.FifoThreshold      = POSITION_VAL(W25Q64_FLASH_SIZE) - 1;
+  sdramHandle.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;
-  QSPIHandle.Init.SampleShifting     = QSPI_SAMPLE_SHIFTING_NONE;
+  sdramHandle.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;
-  QSPIHandle.Init.FlashSize          = POSITION_VAL(W25Q64_FLASH_SIZE) - 1;
+  sdramHandle.Init.MemoryDataWidth = SDRAM_MEMORY_WIDTH;
-  QSPIHandle.Init.ChipSelectHighTime = QSPI_CS_HIGH_TIME_6_CYCLE;
+  sdramHandle.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
-  QSPIHandle.Init.ClockMode          = QSPI_CLOCK_MODE_0;
+  sdramHandle.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
-  QSPIHandle.Init.FlashID            = QSPI_FLASH_ID_1;
+  sdramHandle.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
-  QSPIHandle.Init.DualFlash          = QSPI_DUALFLASH_DISABLE;
+  sdramHandle.Init.SDClockPeriod = SDCLOCK_PERIOD;
-  if (HAL_QSPI_Init(&QSPIHandle) != HAL_OK)
+  sdramHandle.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_ENABLE;
-  {
+  sdramHandle.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;
-    return QSPI_ERROR;
+  /* SDRAM 控制器初始化 */
-  }
+  BSP_SDRAM_MspInit(&sdramHandle, NULL);
-  return QSPI_OK;
+  if(HAL_SDRAM_Init(&sdramHandle, &Timing) != HAL_OK)
-}
+  {
+    sdramstatus = SDRAM_ERROR;
+  }
+  else
+  {
+    /* SDRAM 初始化顺序 */
+    BSP_SDRAM_Initialization_sequence(REFRESH_COUNT);
+  }
+  return sdramstatus;
+}
 </code>
-=== 3.QSPI读函数 ===
+=== 3.SDRAM 读写函数 ===
-要从存取器中读取数据，首先要用一个指针指向读回来的数据，并确定数据的首地址，数据大小，通过库函数HAL_QSPI_Command发送配置命令，然后调用库函数HAL_QSPI_Receive接收数据，最后等待操作完成，代码如下：
 <code c>
-uint8_t BSP_QSPI_Read(uint8_t* pData, uint32_t ReadAddr, uint32_t Size)
+#define write_sdram(offset,data) *(volatile unsigned short int *)(SDRAM_DEVICE_ADDR + (offset << 1)) = data
-{
+#define read_sdram(offset) *(volatile unsigned short int *)(SDRAM_DEVICE_ADDR + (offset << 1))
-  QSPI_CommandTypeDef s_command;
-  /* 初始化读取命令 */
-  s_command.InstructionMode   = QSPI_INSTRUCTION_1_LINE;
-  s_command.Instruction       = QUAD_OUT_FAST_READ_CMD;
-  s_command.AddressMode       = QSPI_ADDRESS_1_LINE;
-  s_command.AddressSize       = QSPI_ADDRESS_24_BITS;
-  s_command.Address           = ReadAddr;
-  s_command.AlternateByteMode = QSPI_ALTERNATE_BYTES_NONE;
-  s_command.DataMode          = QSPI_DATA_4_LINES;
-  s_command.DummyCycles       = W25Q64_DUMMY_CYCLES_READ_QUAD;
-  s_command.NbData            = Size;
-  s_command.DdrMode           = QSPI_DDR_MODE_DISABLE;
-  s_command.DdrHoldHalfCycle  = QSPI_DDR_HHC_ANALOG_DELAY;
-  s_command.SIOOMode          = QSPI_SIOO_INST_EVERY_CMD;
-  /* 配置命令 */
-  if (HAL_QSPI_Command(&QSPIHandle, &s_command, HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE) != HAL_OK)
-  {
-    return QSPI_ERROR;
-  }
-  /* 数据接收 */
-  if (HAL_QSPI_Receive(&QSPIHandle, pData, HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE) != HAL_OK)
-  {
-    return QSPI_ERROR;
-  }
-  return QSPI_OK;
-}
 </code>
-pData：指向要读取的数据的指针
+定义 SDRAM 读写函数
-ReadAddr：读取起始地址
-Size：要读取的数据大小
-=== 4.QSPI写函数 ===
-要从存取器中写入数据，首先要用一个指针指向写入的数据，并确定数据的首地址，数据大小，根据写入地址及大小判断存储器的页面，然后通过库函数HAL_QSPI_Command发送配置命令，再调用库函数HAL_QSPI_Transmit逐页写入数据，最后等待操作完成。代码如下：
 <code c>
-uint8_t BSP_QSPI_Write(uint8_t* pData, uint32_t WriteAddr, uint32_t Size)
+uint8_t BSP_SDRAM_ReadData(uint32_t uwStartAddress, uint32_t *pData,
-{
+uint32_t uwDataSize)
-  QSPI_CommandTypeDef s_command;
+{
-  uint32_t end_addr, current_size, current_addr;
+  if(HAL_SDRAM_Read_32b(&sdramHandle, (uint32_t *)uwStartAddress, pData, uwDataSize) != HAL_OK)
-  /* 计算写地址和页面末尾之间的大小 */
+  {
-  current_size = W25Q64_PAGE_SIZE - (WriteAddr % W25Q64_PAGE_SIZE);
+    return SDRAM_ERROR;
-  /* 检查数据大小是否小于页面中的剩余位置*/
+  }
-  if (current_size > Size)
+  else
   {
-    current_size = Size;
+    return SDRAM_OK;
   }
-  /* 初始化地址变量 */
+}
-  current_addr = WriteAddr;
-  end_addr = WriteAddr + Size;
-  /* 初始化程序命令 */
-  s_command.InstructionMode   = QSPI_INSTRUCTION_1_LINE;
-  s_command.Instruction       = QUAD_IN_FAST_PROG_CMD;
-  s_command.AddressMode       = QSPI_ADDRESS_1_LINE;
-  s_command.AddressSize       = QSPI_ADDRESS_24_BITS;
-  s_command.AlternateByteMode = QSPI_ALTERNATE_BYTES_NONE;
-  s_command.DataMode          = QSPI_DATA_4_LINES;
-  s_command.DummyCycles       = 0;
-  s_command.DdrMode           = QSPI_DDR_MODE_DISABLE;
-  s_command.DdrHoldHalfCycle  = QSPI_DDR_HHC_ANALOG_DELAY;
-  s_command.SIOOMode          = QSPI_SIOO_INST_EVERY_CMD;
-  /* 逐页执行写入*/
-  do
-  {
-    s_command.Address = current_addr;
-    s_command.NbData  = current_size;
-    /* 启用写操作 */
-    if (QSPI_WriteEnable(&QSPIHandle) != QSPI_OK)
-    {
-      return QSPI_ERROR;
-    }
-     /* 配置命令 */
-    if (HAL_QSPI_Command(&QSPIHandle, &s_command, HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE) != HAL_OK)
-    {
-      return QSPI_ERROR;
-    }
-    /* 传输数据 */
-    if (HAL_QSPI_Transmit(&QSPIHandle, pData, HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE) != HAL_OK)
-    {
-      return QSPI_ERROR;
-    }
-    /* 配置自动轮询模式以等待程序结束 */
-    if (QSPI_AutoPollingMemReady(&QSPIHandle, HAL_QPSI_TIMEOUT_DEFAULT_VALUE) != QSPI_OK)
-    {
-      return QSPI_ERROR;
-    }
-      /* 为下一页编程更新地址和变量大小 */
-    current_addr += current_size;
-    pData += current_size;
-    current_size = ((current_addr + W25Q64_PAGE_SIZE) > end_addr) ? (end_addr - current_addr) : W25Q64_PAGE_SIZE;
-  } while (current_addr < end_addr);
-  return QSPI_OK;
-}
 </code>
-pData：指向要写入的数据的指针
+函数功能：在轮询模式下从 SDRAM 存储器中读取大量数据。
-ReadAddr：写入起始地址
+uwStartAddress：读取起始地址。
-Size：要写入的数据大小
+pData：指向要读取的数据的指针。
-=== 5.QSPI_CommandTypeDe通信配置命令结构体 ===
+uwDataSize：从存储器读取的数据的大小。
 <code c>
-typedef struct
+uint8_t BSP_SDRAM_WriteData(uint32_t uwStartAddress, uint32_t *pData,uint32_t uwDataSize)
 {
-  uint32_t Instruction;        /* 设置通信指令，指定要发送到外部 SPI 设备的指令。仅可在 BUSY = 0 时修改该字段*/
+  if(HAL_SDRAM_Write_32b(&sdramHandle, (uint32_t *)uwStartAddress, pData, uwDataSize) != HAL_OK)
-  uint32_t Address;            /* 指定要发送到外部 Flash 的地址，BUSY = 0 或 FMODE = 11（内存映射模式）时，将忽略写入该字段。在双闪存模式下，由于地址始终为偶地址，ADDRESS[0] 自动保持为“0” */
+  {
-  uint32_t AlternateBytes;     /* 指定要在地址后立即发送到外部 SPI 设备的可选数据，仅可在 BUSY = 0 时修改该字段。*/
+    return SDRAM_ERROR;
-  uint32_t AddressSize;        /* 定义地址长度，可以是8位，16位，24位或者32位 */
+  }
-uint32_t AlternateBytesSize; /* 定义交替字节长度，可以是8位，16位，24位或者32位 */
+  else
-  uint32_t DummyCycles;        /* 定义空指令阶段的持续时间，在 SDR 和 DDR 模式下，它指定 CLK 周期数 (0-31) */
+  {
-  uint32_t InstructionMode;    /* 定义指令阶段的操作模式，00：无指令；01：单线传输指令；10：双线传输指令；11：四线传输指令*/
+    return SDRAM_OK;
-  uint32_t AddressMode;        /* 定义地址阶段的操作模式，00：无地址；01：单线传输地址；10：双线传输地址；11：四线传输地址*/
+  }
-  uint32_t AlternateByteMode;  /* 定义交替字节阶段的操作模式00：无交替字节；01：单线传输交替字节；10：双线传输交替字节；11：四线传输交替字节 */
+}
-  uint32_t DataMode;           /* 定义数据阶段的操作模式，00：无数据；01：单线传输数据；10：双线传输数据；11：四线传输数据。该字段还定义空指令阶段的操作模式 */
+</code>
-  uint32_t NbData;             /* 设置数据长度，在间接模式和状态轮询模式下待检索的数据数量（值 + 1）。对状态轮询模式应使用不大于 3 的值（表示 4 字节）*/
+功能介绍：在轮询模式下将大量数据写入 SDRAM 存储器。
-  uint32_t DdrMode;            /* 为地址、交替字节和数据阶段设置 DDR 模式，0：禁止 DDR 模式；1：使能 DDR 模式 */
+uwStartAddress：写入起始地址。
-  uint32_t DdrHoldHalfCycle;   /* 设置DDR 模式下数据输出延迟 1/4 个 QUADSPI 输出时钟周期，0：使用模拟延迟来延迟数据输出；1：数据输出延迟 1/4 个 QUADSPI 输出时钟周期。仅在 DDR 模式下激活*/
+pData：指向要写入数据的指针。
-  uint32_t SIOOMode;           /* 设置仅发送指令一次模式，IMODE = 00 时，该位不起作用。0：在每个事务中发送指令；1：仅为第一条命令发送指令 */
+uwDataSize：向存储器写入的数据大小。
-}QSPI_CommandTypeDef;
+<code c>
+uint8_t BSP_SDRAM_Sendcmd(FMC_SDRAM_CommandTypeDef *SdramCmd)
+{
+  if(HAL_SDRAM_SendCommand(&sdramHandle, SdramCmd, SDRAM_TIMEOUT) != HAL_OK)
+  {
+    return SDRAM_ERROR;
+  }
+  else
+  {
+    return SDRAM_OK;
+  }
+}
+</code>
+功能介绍：向 SDRAM bank 发送命令。
+SdramCmd：指向 SDRAM 命令结构的指针
+=== 4.FMC初始化函数 ===
+<code c>
+void MX_FMC_Init(void)
+{ //本实验中我们只用到了 FMC 的引脚，时序配置使用官方提供的 SDRAM 驱动
+  FMC_SDRAM_TimingTypeDef SdramTiming = {0};
+  /* 执行 SDRAM1 存储器初始化序列 */
+  hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
+  /* hsdram1 初始化 */
+  hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
+  hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_8;
+  hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;
+  hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
+  hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
+  hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_1;
+  hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
+  hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_DISABLE;
+  hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_DISABLE;
+  hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_0;
+  /* Sdram 时序 */
+  SdramTiming.LoadToActiveDelay = 16;
+  SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 16;
+  SdramTiming.SelfRefreshTime = 16;
+  SdramTiming.RowCycleDelay = 16;
+  SdramTiming.WriteRecoveryTime = 16;
+  SdramTiming.RPDelay = 16;
+  SdramTiming.RCDDelay = 16;
+  if (HAL_SDRAM_Init(&hsdram1, &SdramTiming) != HAL_OK)
+  {
+    Error_Handler( );
+  }
+}
 </code>
 ==== 五、 实验步骤 ====
@@ 行 324: / 行 300: @@
   - 也可以进入Debug 模式，单步运行或设置断点验证程序逻辑。
 ==== 六、 实验现象 ====
-读写测试成功，在终端显示出“FLASH TEST OK!”。测试失败，则在终端显示“FLASH ERROR!”
+SDRAM 读写测试成功，LED 常亮，并在终端显示出“SDRAM TEST OK!”。测试失败 LED 灯闪烁，并在终端显示“SDRAM ERROR!”
-{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_13_2.png?direct |}}
+{{ :icore4tx:icore4tx_arm_hal_14_7.png?direct |}}

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